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Code produit: 1263510 - 62   [Référence: FDG8842CZ; EAN: 2050002642041]
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MOSFET ON Semiconductor FDG8842CZ 1 Canal N, Canal P SC-70-6 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • ON Semiconductor FDG8842CZ
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SC-70-6
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence FDG8842CZ
Type de boîtier (semi-conducteur) SC-70-6
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de FET Canal N, Canal P
I(d) 750 mA, 410 mA
UBR DSS 30 V, 25 V
Puissance (max) P(TOT) 300 mW
R(DS)(on) 400 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 750 mA
R(DS)(on) Tension de référence 4.5 V
U(GS)(th) max. 1.5 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 1.44 C
Q(G) Tension de référence 4.5 V
C(ISS) 120 pF
C(ISS) Tension de référence 10 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Série PowerTrench®
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Fonction FET Porte de niveau logique
U(DSS) 30 V, 25 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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