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Code produit: 1263510 - 62 [Référence: FDG8842CZ; EAN: 2050002642041]
MOSFET
Points forts
- ON Semiconductor FDG8842CZ
- Type de boîtier (semi-conducteur): SC-70-6
- Conditionnement: 1 pc(s)
Caractéristiques techniques
| Référence | FDG8842CZ |
|---|---|
| Type de boîtier (semi-conducteur) | SC-70-6 |
| Fabricant | ON Semiconductor |
| Fab. | OnS |
| Type de FET | Canal N, Canal P |
| I(d) | 750 mA, 410 mA |
| UBR DSS | 30 V, 25 V |
| Puissance (max) P(TOT) | 300 mW |
| R(DS)(on) | 400 mΩ |
| R(DS)(on) Courant de référence | 750 mA |
| R(DS)(on) Tension de référence | 4.5 V |
| U(GS)(th) max. | 1.5 V |
| U(GS)(th) Courant de référence max. | 250 µA |
| Q(G) | 1.44 C |
| Q(G) Tension de référence | 4.5 V |
| C(ISS) | 120 pF |
| C(ISS) Tension de référence | 10 V |
| Température de fonctionnement (min.) | -55 °C |
| Type de montage | montage en surface |
| Série | PowerTrench® |
| Température de fonctionnement (max.) | +150 °C |
| Fonction FET | Porte de niveau logique |
| U(DSS) | 30 V, 25 V |
| Type de transistor (Catégorisation) | MOSFET |
| Canaux | 1 |
| Conforme à la norme RoHS | oui |
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