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Code produit: 1311132 - 62   [Référence: RJH60D5BDPQ-E0#T2; EAN: 2050002935990]
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Transistor IGBT Renesas RJH60D5BDPQ-E0#T2 TO-247 Simple Standard 600 V 1 pc(s)
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Transistor IGBT

Points forts

  • Renesas RJH60D5BDPQ-E0#T2
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence RJH60D5BDPQ-E0#T2
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-247
Fabricant Renesas
Fab. REN
Type de transistor (Catégorisation) Transistor IGBT
Configuration Simple
Tension 600 V
IC 75 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 150 A
Vce Saturation (max.) 2.2 V
Puissance (max) P(TOT) 200 W
Type d'entrée Standard
Td (on) à 25°C 50 ns
Td (off) à 25°C 130 ns
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 5 µA
Capacité d’entrée 1900 pF
Q(G) 78 C
Type de FET À tranchées
Temps de recouvrement inverse T(rr) 25 ns
Type de montage trou traversant
Conforme à la norme RoHS oui

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