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Code produit: 151090 - 62   [Référence: 2N5886G; EAN: 2050000012822]
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Transistor (BJT) - Discrêt ON Semiconductor 2N5886G TO-3 1 NPN 1 pc(s)
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Transistor (BJT) - Discrêt

Points forts

  • ON Semiconductor 2N5886G
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-3
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Caractéristiques techniques

Référence 2N5886G
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-3
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 25 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 80 V
Vce Saturation (max.) 4 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 2 mA
Puissance (max) P(TOT) 200 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 20
Ic 10 A
Vce 4 V
Fréquence - Transition 4 MHz
Type de montage trou traversant

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