ou jaune 
, ou encore par la mention « Des frais supplémentaires de livraison peuvent être demandés pour ce produit » - Imprimer la page
Code produit: 160932 - 62 [Référence: IRFB4110PBF; EAN: 2050001540430]
€ 3,70
Prix dégressif
Prix non remisable
Prix TTC, Hors frais d’envoi
| Prix dégressif | ||
|---|---|---|
| * Prix TTC, Hors frais d’envoi | ||
| Quantité en pièce(s) | Prix en € | Économie en € |
| 1 | 3,70* | --- |
| 10 | 3,28* | 11% = 0,42 |
MOSFET
Points forts
- Infineon Technologies IRFB4110PBF
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
- Conditionnement: 1 pc(s)
Caractéristiques techniques
| Référence | IRFB4110PBF |
|---|---|
| Type de boîtier (semi-conducteur) | TO-220AB |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Fab. | INF |
| Type de FET | Canal N |
| I(d) | 120 A |
| UBR DSS | 100 V |
| Puissance (max) P(TOT) | 370 W |
| R(DS)(on) | 4.5 mΩ |
| R(DS)(on) Courant de référence | 75 A |
| R(DS)(on) Tension de référence | 10 V |
| U(GS)(th) max. | 4 V |
| U(GS)(th) Courant de référence max. | 250 µA |
| Q(G) | 210 C |
| Q(G) Tension de référence | 10 V |
| C(ISS) | 9620 pF |
| C(ISS) Tension de référence | 50 V |
| Température de fonctionnement (min.) | -55 °C |
| Type de montage | trou traversant |
| Série | HEXFET® |
| Température de fonctionnement (max.) | +175 °C |
| Fonction FET | Standard |
| U(DSS) | 100 V |
| Type de transistor (Catégorisation) | MOSFET |
| Canaux | 1 |
| Conforme à la norme RoHS | oui |
D’autres personnes ont également acheté:
Infineon Technologies, IRFB4110PBF, IRFB4110PBF, International Rectifier, IRFB4110PBF-ND, transistor effet de champ, transistor mosfet, transistor unipolaire
(PDF, 0,23 MB)
