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Code produit: 161119 - 62 [Référence: IRFU1018EPBF; EAN: 2050001541680]
€ 2,10
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| Quantité en pièce(s) | Prix en € | Économie en € |
| 1 | 2,10* | --- |
| 10 | 1,86* | 11% = 0,24 |
MOSFET
Points forts
- Infineon Technologies IRFU1018EPBF
- Type de boîtier (semi-conducteur): I-PAK
- Conditionnement: 1 pc(s)
Caractéristiques techniques
| Référence | IRFU1018EPBF |
|---|---|
| Type de boîtier (semi-conducteur) | I-PAK |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Fab. | INF |
| Type de FET | Canal N |
| I(d) | 56 A |
| UBR DSS | 60 V |
| Puissance (max) P(TOT) | 110 W |
| R(DS)(on) | 8.4 mΩ |
| R(DS)(on) Courant de référence | 47 A |
| R(DS)(on) Tension de référence | 10 V |
| U(GS)(th) max. | 4 V |
| U(GS)(th) Courant de référence max. | 100 µA |
| Q(G) | 69 C |
| Q(G) Tension de référence | 10 V |
| C(ISS) | 2290 pF |
| C(ISS) Tension de référence | 50 V |
| Température de fonctionnement (min.) | -55 °C |
| Type de montage | trou traversant |
| Série | HEXFET® |
| Température de fonctionnement (max.) | +175 °C |
| Fonction FET | Standard |
| U(DSS) | 60 V |
| Type de transistor (Catégorisation) | MOSFET |
| Canaux | 1 |
| Conforme à la norme RoHS | oui |
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