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Code produit: 161119 - 62   [Référence: IRFU1018EPBF; EAN: 2050001541680]
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MOSFET Infineon Technologies IRFU1018EPBF 1 Canal N I-PAK 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • Infineon Technologies IRFU1018EPBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): I-PAK
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRFU1018EPBF
Type de boîtier (semi-conducteur) I-PAK
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 56 A
UBR DSS 60 V
Puissance (max) P(TOT) 110 W
R(DS)(on) 8.4 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 47 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 4 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 100 µA
Q(G) 69 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 2290 pF
C(ISS) Tension de référence 50 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage trou traversant
Série HEXFET®
Température de fonctionnement (max.) +175 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) 60 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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