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Code produit: 162397 - 62   [Référence: IRF3710; EAN: 2050000040900]
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MOSFET Infineon Technologies IRF3710 1 Canal N TO-220AB 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • Infineon Technologies IRF3710
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Caractéristiques techniques

Référence IRF3710
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-220AB
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 59 A
UBR DSS 100 V
Puissance (max) P(TOT) 160 W
R(DS)(on) 18 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 35 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 4 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 120 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 2900 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Série HEXFET®
Température de fonctionnement (max.) +175 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) 100 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1

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