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Code produit: 162630 - 62   [Référence: IRFL4105PBF; EAN: 2050000042799]
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MOSFET Infineon Technologies IRFL4105PBF 1 Canal N 1 W SOT-223 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • Infineon Technologies IRFL4105PBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-223
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRFL4105PBF
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-223
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 3.7 A
UBR DSS 55 V
Puissance (max) P(TOT) 1 W
R(DS)(on) 45 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 3.7 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 4 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 35 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 660 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Série HEXFET®
Fonction FET Standard
U(DSS) 55 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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