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Code produit: 162778 - 62   [Référence: IRL3302S; EAN: 2050000044014]
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MOSFET Infineon Technologies IRL3302S 1 Canal N 57 W D2PAK 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • Infineon Technologies IRL3302S
  • Type de boîtier (semi-conducteur): D2PAK
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRL3302S
Type de boîtier (semi-conducteur) D2PAK
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 39 A
UBR DSS 20 V
Puissance (max) P(TOT) 57 W
R(DS)(on) 20 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 23 A
R(DS)(on) Tension de référence 7 V
U(GS)(th) max. 0.7 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 31 C
Q(G) Tension de référence 4.5 V
C(ISS) 1300 pF
C(ISS) Tension de référence 15 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Série HEXFET®
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) 20 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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