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Code produit: 564276 - 62   [Référence: IXFH50N30Q3; EAN: 2050003205535]
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MOSFET IXYS IXFH50N30Q3 1 Canal N TO-247 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • IXYS IXFH50N30Q3
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IXFH50N30Q3
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-247
Fabricant IXYS
Fab. IXY
Type de FET Canal N
I(d) 50 A
UBR DSS 300 V
Puissance (max) P(TOT) 690 W
R(DS)(on) 80 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 25 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 6.5 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 4 mA
Q(G) 65 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 3160 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage trou traversant
Série HiPerFET™
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) 300 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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