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Code produit: 1263419 - 62   [Référence: FDD5N60NZTM; EAN: 2050002641136]
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MOSFET ON Semiconductor FDD5N60NZTM 1 Canal N 83 W TO-252-3 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • ON Semiconductor FDD5N60NZTM
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-252-3
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence FDD5N60NZTM
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-252-3
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de FET Canal N
I(d) 4 A
UBR DSS 600 V
Puissance (max) P(TOT) 83 W
R(DS)(on) 2 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 2 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 5 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 13 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 600 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Série UniFET-II™
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) 600 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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