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Code produit: 1263922 - 62   [Référence: FDS6690A; EAN: 2050002646162]
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MOSFET ON Semiconductor FDS6690A 1 Canal N 1 W SOIC-8 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • ON Semiconductor FDS6690A
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SOIC-8
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence FDS6690A
Type de boîtier (semi-conducteur) SOIC-8
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de FET Canal N
I(d) 11 A
UBR DSS 30 V
Puissance (max) P(TOT) 1 W
R(DS)(on) 12.5 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 11 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 3 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 16 C
Q(G) Tension de référence 5 V
C(ISS) 1205 pF
C(ISS) Tension de référence 15 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Série PowerTrench®
Fonction FET Porte de niveau logique
U(DSS) 30 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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