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Code produit: 150857 - 62   [Référence: PHE13009,127; EAN: 2050000011658]
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NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discrêt PHE13009,127 TO-220AB 1 NPN
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Transistor (BJT) - Discrêt

Points forts

  • NXP Semiconductors PHE13009,127
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Caractéristiques techniques

Référence PHE13009,127
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-220AB
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 12 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 400 V
Vce Saturation (max.) 2 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 100 µA
Puissance (max) P(TOT) 80 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 8
Ic 5 A
Vce 5 V
Type de montage trou traversant
Conforme à la norme RoHS oui

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