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Code produit: 151006 - 62   [Référence: 2N7002GEG-HSMD; EAN: 2050000012402]
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MOSFET Nexperia 2N7002GEG-HSMD 1 Canal N 0.83 W SOT-23 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • Nexperia 2N7002GEG-HSMD
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence 2N7002GEG-HSMD
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-23
Fabricant Nexperia
Fab. NEX
Type de FET Canal N
I(d) 300 mA
UBR DSS 60 V
Puissance (max) P(TOT) 0.83 W
R(DS)(on) 5 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 500 mA
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 3 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 1 mA
C(ISS) 40 pF
C(ISS) Tension de référence 10 V
Température de fonctionnement (min.) -65 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
U(DSS) 60 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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