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Code produit: 153065 - 62   [Référence: BC858BWH6327; EAN: 2050000020568]
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Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt BC858BWH6327 SOT-323-3 1 PNP
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Transistor (BJT) - Discrêt

Points forts

  • Infineon Technologies BC858BWH6327
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-323-3
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Caractéristiques techniques

Référence BC858BWH6327
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-323-3
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET PNP
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -30 V
Vce Saturation (max.) -650 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) -15 nA
Puissance (max) P(TOT) 250 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 220
Ic -2 mA
Vce -5 V
Fréquence - Transition 250 MHz
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

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