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Code produit: 153163 - 62   [Référence: BSP135H6327; EAN: 2050000021237]
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MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 1 Canal N 1.8 W TO-261-4 1 pc(s)
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MOSFET

Points forts

  • Infineon Technologies BSP135H6327
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-261-4
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Type à déplétion du canal N

Caractéristiques techniques

Référence BSP135H6327
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-261-4
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 120 mA
UBR DSS 600 V
Puissance (max) P(TOT) 1.8 W
R(DS)(on) 45 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 120 mA
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 1 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 94 µA
Q(G) 4.9 C
Q(G) Tension de référence 5 V
C(ISS) 146 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Série SIPMOS®
Fonction FET Mode de déplétion
U(DSS) 600 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1

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