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Code produit: 153264 - 62   [Référence: BCR198W; EAN: 2050000021992]
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Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé BCR198W SC-70 1 PNP - Prépolarisé
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Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé

Points forts

  • Infineon Technologies BCR198W
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SC-70
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Caractéristiques techniques

Référence BCR198W
Type de boîtier (semi-conducteur) SC-70
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET PNP - Prépolarisé
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -50 V
Vce Saturation (max.) -300 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) -100 nA
Puissance (max) P(TOT) 250 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 70
Ic -5 mA
Vce -5 V
Fréquence - Transition 190 MHz
Résistance - base (R1) (Ohms) 47 kΩ
Résistance - base émetteur (R2) (Ohms) 47 kΩ
Type de montage montage en surface

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