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Code produit: 154288 - 62   [Référence: BU2708AF; EAN: 2050000026768]
  • Voir plus de produits Transistors bipolaires dans la boutique NXP SEMICONDUCTORS
Transistor (BJT) - Discrêt NXP Semiconductors BU2708AF SOT-199 1

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Transistor (BJT) - Discrêt

Points forts

  • NXP Semiconductors BU2708AF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-199
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Caractéristiques techniques

Référence BU2708AF
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-199
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 8 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 825 V
Vce Saturation (max.) 1 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 2 mA
Puissance (max) P(TOT) 45 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 3
Ic 4 A
Vce 1 V
Fréquence - Transition 1 MHz
Type de montage trou traversant

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