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Code produit: 160637 - 62   [Référence: IXA12IF1200PB; EAN: 2050001242594]
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Transistor IGBT IXYS IXA12IF1200PB TO-220AB Simple Standard 1200 V 1 pc(s)
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Transistor IGBT

Points forts

  • IXYS IXA12IF1200PB
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Description

Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). IXYS . . . .

Caractéristiques techniques

Référence IXA12IF1200PB
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-220AB
Fabricant IXYS
Fab. IXY
Type de transistor (Catégorisation) Transistor IGBT
Configuration Simple
Tension 1200 V
IC 20 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 30 A
Vce Saturation (max.) 2.1 V
Puissance (max) P(TOT) 85 W
Type d'entrée Standard
Td (on) à 25°C 70 ns
Td (off) à 25°C 250 ns
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 100 µA
Q(G) 27 C
Type de FET PT
Temps de recouvrement inverse T(rr) 350 ns
Type de montage trou traversant
Conforme à la norme RoHS oui

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