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Code produit: 160932 - 62   [Référence: IRFB4110PBF; EAN: 2050001540430]
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MOSFET Infineon Technologies IRFB4110PBF 1 Canal N 370 W TO-220AB 1 pc(s)
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Transistor unipolaire (MOSFET)

Points forts

  • Infineon Technologies IRFB4110PBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRFB4110PBF
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-220AB
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 120 A
UBR DSS 100 V
Puissance (max) P(TOT) 370 W
R(DS)(on) 4.5 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 75 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 4 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 210 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 9620 pF
C(ISS) Tension de référence 50 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage trou traversant
Température de fonctionnement (max.) +175 °C
Série HEXFET®
Fonction FET Standard
U(DSS) 100 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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