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Code produit: 160960 - 62   [Référence: IRFH5020TR2PBF; EAN: 2050001540652]
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MOSFET Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF 1 Canal N 3.6 W PQFN 5x6 1 pc(s)
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€ 1,77
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1 1,77* ---
5 1,69* 5% = 0,08
10 1,60* 10% = 0,17
25 1,50* 15% = 0,27
100 1,41* 20% = 0,36
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Points forts

  • Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): PQFN 5x6
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRFH5020TR2PBF
Type de boîtier (semi-conducteur) PQFN 5x6
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 5.1 A
UBR DSS 200 V
Puissance (max) P(TOT) 3.6 W
R(DS)(on) 55 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 7.5 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 5 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 150 µA
Q(G) 54 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 2290 pF
C(ISS) Tension de référence 100 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Série HEXFET®
Fonction FET Standard
U(DSS) 200 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui