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(1) Offre réservée aux particuliers, valable jusqu'au 19/08/2018 inclus, uniquement sur www.conrad.fr. En indiquant le code avantage 43336 dans votre panier, vous bénéficiez d'un cadeau surprise dès 59€ d'achats. En cas de rupture de stock de votre cadeau, Conrad se réserve la possibilité de le remplacer par un cadeau de valeur identique ou supérieure. Valable une seule fois par client, non cumulable avec une autre offre en cours.

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Code produit: 160996 - 62   [Référence: IRFH8337TR2PBF; EAN: 2050001540942]
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Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF MOSFET 1 Canal N
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pièce(s)



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Transistor unipolaire (MOSFET)

Points forts

  • Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): PQFN 5x6
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRFH8337TR2PBF
Type de boîtier (semi-conducteur) PQFN 5x6
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 12 A, 35 A
UBR DSS 30 V
Puissance (max) P(TOT) 3.2 W
R(DS)(on) 12.8 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 16.2 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 2.35 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 25 µA
Q(G) 10 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 790 pF
C(ISS) Tension de référence 10 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Série HEXFET®
Fonction FET Standard
U(DSS) 30 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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