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Code produit: 162431 - 62   [Référence: IRF7103PBF; EAN: 2050000041228]
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Infineon Technologies IRF7103PBF MOSFET 1 Canal N
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MOSFET

Points forts

  • Infineon Technologies IRF7103PBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SO-8
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRF7103PBF
Type de boîtier (semi-conducteur) SO-8
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 3 A
UBR DSS 50 V
Puissance (max) P(TOT) 2 W
R(DS)(on) 130 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 3 A
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 3 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 30 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 290 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Série HEXFET®
Fonction FET Standard
U(DSS) 50 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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