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Code produit: 162582 - 62   [Référence: IRFD110PBF; EAN: 2050000042409]
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Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canal N 1.3 W
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MOSFET

Points forts

  • Vishay IRFD110PBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): DIP-4
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRFD110PBF
Type de boîtier (semi-conducteur) DIP-4
Fabricant Vishay
Fab. VIS
Type de FET Canal N
I(d) 1 A
UBR DSS 100 V
Puissance (max) P(TOT) 1.3 W
R(DS)(on) 540 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 600 mA
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 4 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 8.3 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 180 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage trou traversant
Température de fonctionnement (max.) +175 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) 100 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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