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Code produit: 162696 - 62   [Référence: IRFR5305; EAN: 2050000043390]
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MOSFET Infineon Technologies IRFR5305 1 Canal P 110 W TO-263-3 1 pc(s)

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MOSFET

Points forts

  • Infineon Technologies IRFR5305
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-263-3
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence IRFR5305
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-263-3
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal P
I(d) 31 A
UBR DSS -55 V
Puissance (max) P(TOT) 110 W
R(DS)(on) 65 mΩ
R(DS)(on) Courant de référence 16 A
R(DS)(on) Tension de référence +10 V
U(GS)(th) max. +4 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
Q(G) 63 C
Q(G) Tension de référence +10 V
C(ISS) 1200 pF
C(ISS) Tension de référence +25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Série HEXFET®
Température de fonctionnement (max.) +175 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) -55 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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