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Code produit: 558300 - 62   [Référence: 2N7002-7-F; EAN: 2050003195195]
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DIODES Incorporated 2N7002-7-F MOSFET 1 Canal N 37
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MOSFET

Points forts

  • DIODES Incorporated 2N7002-7-F
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3
  • Conditionnement: 1 pc(s)

Caractéristiques techniques

Référence 2N7002-7-F
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-23-3
Fabricant DIODES Incorporated
Fab. DIn
Type de FET Canal N
I(d) 115 mA
UBR DSS 60 V
Puissance (max) P(TOT) 370 mW
R(DS)(on) 7.5 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 50 mA
R(DS)(on) Tension de référence 5 V
U(GS)(th) max. 2.5 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 250 µA
C(ISS) 50 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Fonction FET Standard
U(DSS) 60 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

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