CI Mémoire ROHM Semiconductor BR25L040FVJ-WE2 TSSOP-B8 EEPROM 4 ko 512 x 8 1 pc(s)

  • Référence article: 140771
  • Référence fabricant: BR25L040FVJ-WE2
  • EAN: 2050001283986

EEPROM BR25L040FVJ-WE2 (TSSOP-B8)

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Référence BR25L040FVJ-WE2
Type de boîtier (semi-conducteur) TSSOP-B8
Fabricant ROHM Semiconductor
Fab. ROH
Type de CI mémoire (Catégorisation) CI Mémoire
Type de mémoire EEPROM
Taille de la mémoire 4 ko
Organisation 512 x 8
Tension d'alim. min. 1.8 V
Tension d'alim. max. 5.5 V
Format - Mémoire EEPROM - série
Vitesse 5 MHz
Température de fonctionnement (min.) -40 °C
Température de fonctionnement (max.) +85 °C
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence BR25L040FVJ-WE2
Type de boîtier (semi-conducteur) TSSOP-B8
Fabricant ROHM Semiconductor
Fab. ROH
Type de CI mémoire (Catégorisation) CI Mémoire
Type de mémoire EEPROM
Taille de la mémoire 4 ko
Organisation 512 x 8
Tension d'alim. min. 1.8 V
Tension d'alim. max. 5.5 V

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