Diode standard Vishay 10ETF02SPBF TO-263-3 200 V 10 A 1 pc(s)

DIODE FAST RECOVERY 10ETF02SPBF D2PAK

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Référence	10ETF02SPBF
Type de boîtier (semi-conducteur)	TO-263-3
Fabricant	Vishay
Fab.	VIS
I_F	10 A
Tension - inverse (Vr) (max.)	200 V
U_F	1.2 V
Catégorie	Diode standard
Tension de seuil de référence	10 A
Courant de fuite I(r)	100 µA
Courant de fuite I(r) - Référence	200 V
Température de fonctionnement (min.)	-40 °C
Température de fonctionnement (max.)	+150 °C
Type de montage	montage en surface
I_{FSM 50Hz}	150 A
I_{FSM 60Hz}	160 A
Temps de recouvrement inverse T(rr)	200 ns
Modèle	Diode Fast Recovery
R_th	1.5 K/W

Informations techniques

Référence	10ETF02SPBF
Type de boîtier (semi-conducteur)	TO-263-3
Fabricant	Vishay
Fab.	VIS
I_F	10 A
Tension - inverse (Vr) (max.)	200 V
U_F	1.2 V
Catégorie	Diode standard
Tension de seuil de référence	10 A
Courant de fuite I(r)	100 µA

Courant de fuite I(r) - Référence	200 V
Température de fonctionnement (min.)	-40 °C
Température de fonctionnement (max.)	+150 °C
Type de montage	montage en surface
I_{FSM 50Hz}	150 A
I_{FSM 60Hz}	160 A
Temps de recouvrement inverse T(rr)	200 ns
Modèle	Diode Fast Recovery
R_th	1.5 K/W