Diode TVS STMicroelectronics SMX1J7.5A-TR µQFN-2 8.3 V 800 W

  • Référence article: 1183795
  • Référence fabricant: SMX1J7.5A-TR
  • EAN: 2050002021518

Diode TVS SMX1J7.5A-TR

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Référence SMX1J7.5A-TR
Type de boîtier (semi-conducteur) µQFN-2
Fabricant STMicroelectronics
Fab. STM
Tension - inverse (Vr) (max.) 7.5 V
Tension - Claquage 8.3 V
Tension - Blocage U(CL) 20 V
Courant - Impulsion de crête 40 A
Puissance (max) P(TOT) 800 W
Canaux 1
Polarité Unidirectionnelle
Protection secteur non
Type de montage montage en surface
Série SMXJ , TRANSIL™
Conforme à la norme RoHS oui
Catégorie Diode TVS
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Température de fonctionnement (min.) -55 °C

Informations techniques

Référence SMX1J7.5A-TR
Type de boîtier (semi-conducteur) µQFN-2
Fabricant STMicroelectronics
Fab. STM
Tension - inverse (Vr) (max.) 7.5 V
Tension - Claquage 8.3 V
Tension - Blocage U(CL) 20 V
Courant - Impulsion de crête 40 A
Puissance (max) P(TOT) 800 W
Canaux 1

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