Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4

Type à déplétion du canal N

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Référence	BSP149
Type de boîtier (semi-conducteur)	TO-261-4
Fabricant	Infineon Technologies
Fab.	INF
Type de FET	Canal N
I(d)	660 mA
U_{BR DSS}	200 V
Puissance (max) P(TOT)	1.8 W
R(DS)(on)	1.8 Ω
R(DS)(on) Courant de référence	660 mA
R(DS)(on) Tension de référence	10 V
U(GS)(th) max.	1 V
U(GS)(th) Courant de référence max.	400 µA
Q(G)	14 C
Q(G) Tension de référence	5 V
C(ISS)	430 pF
C(ISS) Tension de référence	25 V
Température de fonctionnement (min.)	-55 °C
Type de montage	montage en surface
Série	SIPMOS®
Température de fonctionnement (max.)	+150 °C
Fonction FET	Mode de déplétion
U(DSS)	200 V
Type de transistor (Catégorisation)	MOSFET
Canaux	1
Conforme à la norme RoHS	oui

Informations techniques

Référence	BSP149
Type de boîtier (semi-conducteur)	TO-261-4
Fabricant	Infineon Technologies
Fab.	INF
Type de FET	Canal N
I(d)	660 mA
U_{BR DSS}	200 V
Puissance (max) P(TOT)	1.8 W
R(DS)(on)	1.8 Ω
R(DS)(on) Courant de référence	660 mA

R(DS)(on) Tension de référence	10 V
U(GS)(th) max.	1 V
U(GS)(th) Courant de référence max.	400 µA
Q(G)	14 C
Q(G) Tension de référence	5 V
C(ISS)	430 pF
C(ISS) Tension de référence	25 V
Température de fonctionnement (min.)	-55 °C
Type de montage	montage en surface
Série	SIPMOS®
Température de fonctionnement (max.)	+150 °C
Fonction FET	Mode de déplétion
U(DSS)	200 V
Type de transistor (Catégorisation)	MOSFET
Canaux	1
Conforme à la norme RoHS	oui