Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4

  • Référence article: 153177
  • Référence fabricant: BSP149
  • EAN: 2050000021336

Type à déplétion du canal N

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Référence BSP149
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-261-4
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 660 mA
UBR DSS 200 V
Puissance (max) P(TOT) 1.8 W
R(DS)(on) 1.8 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 660 mA
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 1 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 400 µA
Q(G) 14 C
Q(G) Tension de référence 5 V
C(ISS) 430 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Série SIPMOS®
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Fonction FET Mode de déplétion
U(DSS) 200 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence BSP149
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-261-4
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal N
I(d) 660 mA
UBR DSS 200 V
Puissance (max) P(TOT) 1.8 W
R(DS)(on) 1.8 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 660 mA

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