Infineon Technologies BSP317 MOSFET 1 Canal P 1.8 W TO-261-4

Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P.

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Référence	BSP317
Type de boîtier (semi-conducteur)	TO-261-4
Fabricant	Infineon Technologies
Fab.	INF
Type de FET	Canal P
I(d)	430 mA
U_{BR DSS}	250 V
Puissance (max) P(TOT)	1.8 W
R(DS)(on)	4 Ω
R(DS)(on) Courant de référence	430 mA
R(DS)(on) Tension de référence	10 V
U(GS)(th) max.	2 V
U(GS)(th) Courant de référence max.	370 µA
Q(G)	15.1 C
Q(G) Tension de référence	10 V
C(ISS)	262 pF
C(ISS) Tension de référence	25 V
Température de fonctionnement (min.)	-55 °C
Type de montage	montage en surface
Série	SIPMOS®
Température de fonctionnement (max.)	+150 °C
Fonction FET	Porte de niveau logique
U(DSS)	250 V
Type de transistor (Catégorisation)	MOSFET
Canaux	1

Informations techniques

Référence	BSP317
Type de boîtier (semi-conducteur)	TO-261-4
Fabricant	Infineon Technologies
Fab.	INF
Type de FET	Canal P
I(d)	430 mA
U_{BR DSS}	250 V
Puissance (max) P(TOT)	1.8 W
R(DS)(on)	4 Ω
R(DS)(on) Courant de référence	430 mA

R(DS)(on) Tension de référence	10 V
U(GS)(th) max.	2 V
U(GS)(th) Courant de référence max.	370 µA
Q(G)	15.1 C
Q(G) Tension de référence	10 V
C(ISS)	262 pF
C(ISS) Tension de référence	25 V
Température de fonctionnement (min.)	-55 °C
Type de montage	montage en surface
Série	SIPMOS®
Température de fonctionnement (max.)	+150 °C
Fonction FET	Porte de niveau logique
U(DSS)	250 V
Type de transistor (Catégorisation)	MOSFET
Canaux	1