Infineon Technologies BSP317 MOSFET 1 Canal P 1.8 W TO-261-4

  • Référence article: 152940
  • Référence fabricant: BSP317
  • EAN: 2050000019616

Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P.

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Référence BSP317
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-261-4
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal P
I(d) 430 mA
UBR DSS 250 V
Puissance (max) P(TOT) 1.8 W
R(DS)(on) 4 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 430 mA
R(DS)(on) Tension de référence 10 V
U(GS)(th) max. 2 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 370 µA
Q(G) 15.1 C
Q(G) Tension de référence 10 V
C(ISS) 262 pF
C(ISS) Tension de référence 25 V
Température de fonctionnement (min.) -55 °C
Type de montage montage en surface
Série SIPMOS®
Température de fonctionnement (max.) +150 °C
Fonction FET Porte de niveau logique
U(DSS) 250 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1

Informations techniques

Référence BSP317
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-261-4
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de FET Canal P
I(d) 430 mA
UBR DSS 250 V
Puissance (max) P(TOT) 1.8 W
R(DS)(on) 4 Ω
R(DS)(on) Courant de référence 430 mA

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