Infineon Technologies Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé BCR22PNH6327 SOT-363 1 NPN - Prépolarisé, PNP -

  • Référence article: 153278
  • Référence fabricant: BCR22PNH6327
  • EAN: 2050000022098

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Type d'emballage (composant) Tape cut, re-reeling option
Référence BCR22PNH6327
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-363
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET NPN - Prépolarisé , PNP - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Vce Saturation (max.) 300 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 100 nA
Puissance (max) P(TOT) 250 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 50
Ic 5 mA
Vce 5 V
Fréquence - Transition 130 MHz
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Type d'emballage (composant) Tape cut, re-reeling option
Référence BCR22PNH6327
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-363
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET NPN - Prépolarisé , PNP - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V

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