Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé BCR108 TO-236-3 1 NPN - Prépolarisé

  • Référence article: 152988
  • Référence fabricant: BCR108
  • EAN: 2050000020018

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Référence BCR108
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-236-3
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET NPN - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Vce Saturation (max.) 300 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 100 nA
Puissance (max) P(TOT) 200 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 70
Ic 5 mA
Vce 5 V
Fréquence - Transition 170 MHz
Résistance - base (R1) (Ohms) 2.2 kΩ
Résistance - base émetteur (R2) (Ohms) 47 kΩ
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence BCR108
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-236-3
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET NPN - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Vce Saturation (max.) 300 mV

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