Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé BCR183 TO-236-3 1 PNP - Prépolarisé Tape cut, re-reeling o

  • Référence article: 153199
  • Référence fabricant: BCR183
  • EAN: 2050000021503

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

  • Paiement sécurisé
  • Satisfait ou remboursé
  • Garantie 2 ans
  • Droit de retour 14 jours
  • Demandez votre devis ! Réponse sous 4H
Type d'emballage (composant) Tape cut, re-reeling option
Référence BCR183
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-236-3
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET PNP - Prépolarisé
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -50 V
Vce Saturation (max.) -300 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) -100 nA
Puissance (max) P(TOT) 200 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 30
Ic -5 mA
Vce -5 V
Fréquence - Transition 200 MHz
Résistance - base (R1) (Ohms) 10 kΩ
Résistance - base émetteur (R2) (Ohms) 10 kΩ
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Type d'emballage (composant) Tape cut, re-reeling option
Référence BCR183
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-236-3
Fabricant Infineon Technologies
Fab. INF
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET PNP - Prépolarisé
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -50 V

Documents et téléchargements

Voir d'autres articles de cette catégorie Transistors bipolaires