Nexperia Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé PUMH4,115 TSSOP-6 2 NPN - Prépolarisé

  • Référence article: 1112784
  • Référence fabricant: PUMH4,115
  • EAN: 2050003460521

Transistor PUMH4,115 1 pc(s)

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Référence PUMH4,115
Type de boîtier (semi-conducteur) TSSOP-6
Fabricant Nexperia
Fab. NEX
Type de transistor (Catégorisation) Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé
Canaux 2
Type de FET NPN - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Vce Saturation (max.) 150 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 1 µA
Puissance (max) P(TOT) 300 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 200
Ic 1 mA
Vce 5 V
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence PUMH4,115
Type de boîtier (semi-conducteur) TSSOP-6
Fabricant Nexperia
Fab. NEX
Type de transistor (Catégorisation) Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé
Canaux 2
Type de FET NPN - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Vce Saturation (max.) 150 mV

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