Nexperia Transistor (BJT) - Discrêt BC856W,115 SOT-323 1 PNP

  • Référence article: 1112888
  • Référence fabricant: BC856W,115
  • EAN: 2050003461566

Transistor BC856W,115 1 pc(s)

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Référence BC856W,115
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-323
Fabricant Nexperia
Fab. NEX
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET PNP
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -65 V
Vce Saturation (max.) -600 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) -15 nA
Puissance (max) P(TOT) 200 mW
Série Technique automobile/AEC-Q101
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 125
Ic -2 mA
Vce -5 V
Fréquence - Transition 100 MHz
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence BC856W,115
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-323
Fabricant Nexperia
Fab. NEX
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET PNP
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -65 V
Vce Saturation (max.) -600 mV

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