Nexperia Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé PDTA114TT,215 TO-236-3 1 PNP - Prépolarisé

  • Référence article: 1113348
  • Référence fabricant: PDTA114TT,215
  • EAN: 2050003470162

Transistor PDTA114TT,215 1 pc(s)

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Référence PDTA114TT,215
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-236-3
Fabricant Nexperia
Fab. NEX
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET PNP - Prépolarisé
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -50 V
Vce Saturation (max.) -150 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) -100 nA
Puissance (max) P(TOT) 250 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 200
Ic -1 mA
Vce -5 V
Résistance - base (R1) (Ohms) 10 kΩ
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence PDTA114TT,215
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-236-3
Fabricant Nexperia
Fab. NEX
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt, prépolarisé
Canaux 1
Type de FET PNP - Prépolarisé
IC -100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -50 V
Vce Saturation (max.) -150 mV

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