NXP Semiconductors BLF888A,112 MOSFET 1 LDMOS 600 W SOT-539A

  • Référence article: 1112573
  • Référence fabricant: BLF888A,112
  • EAN: 2050003455411

MOSFET BLF888A,112 1 pc(s)

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Référence BLF888A,112
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-539A
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de FET LDMOS
I(d) 69 A
UBR DSS 110 V
Puissance (max) P(TOT) 600 W
R(DS)(on) 143 mΩ
U(GS)(th) max. 2.4 V
U(GS)(th) Courant de référence max. 240 mA
C(ISS) 220 pF
C(ISS) Tension de référence 50 V
Type de montage montage en surface
Température de fonctionnement (max.) +225 °C
U(DSS) 110 V
Type de transistor (Catégorisation) MOSFET
Canaux 1
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence BLF888A,112
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-539A
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de FET LDMOS
I(d) 69 A
UBR DSS 110 V
Puissance (max) P(TOT) 600 W
R(DS)(on) 143 mΩ
U(GS)(th) max. 2.4 V

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