NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discrêt BU2520AW SOT-429 1 NPN

  • Référence article: 155292
  • Référence fabricant: BU2520AW
  • EAN: 2050000029790

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Référence BU2520AW
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-429
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 10 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 800 V
Vce Saturation (max.) 5 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 2 mA
Puissance (max) P(TOT) 125 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 5
Ic 6 A
Vce 5 V
Fréquence - Transition 1 MHz
Type de montage trou traversant

Informations techniques

Référence BU2520AW
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-429
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 10 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 800 V
Vce Saturation (max.) 5 V

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