NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discrêt BU2522DX SOT-399 1 NPN

  • Référence article: 154580
  • Référence fabricant: BU2522DX
  • EAN: 2050000028731

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

  • Paiement sécurisé
  • Satisfait ou remboursé
  • Garantie 2 ans
  • Droit de retour 14 jours
  • Demandez votre devis ! Réponse sous 4H
Référence BU2522DX
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-399
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 10 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 800 V
Vce Saturation (max.) 5 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 2 mA
Puissance (max) P(TOT) 45 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 5
Ic 6 A
Vce 5 V
Fréquence - Transition 1 MHz
Type de montage trou traversant

Informations techniques

Référence BU2522DX
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-399
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 10 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 800 V
Vce Saturation (max.) 5 V

Documents et téléchargements

Produits similaires

Voir d'autres articles de cette catégorie Transistors bipolaires