NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discrêt BU2525DX SOT-399 1 NPN

  • Référence article: 154431
  • Référence fabricant: BU2525DX
  • EAN: 2050000027772

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Référence BU2525DX
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-399
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 12 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 800 V
Vce Saturation (max.) 5 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 2 mA
Puissance (max) P(TOT) 45 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 5
Ic 8 A
Vce 5 V
Fréquence - Transition 1 MHz
Type de montage trou traversant

Informations techniques

Référence BU2525DX
Type de boîtier (semi-conducteur) SOT-399
Fabricant NXP Semiconductors
Fab. NXP
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 12 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 800 V
Vce Saturation (max.) 5 V

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