ON Semiconductor Optocoupleur - Phototransistor 4N25M DIP-6 Transistor avec base DC

  • Référence article: 1265457
  • Référence fabricant: 4N25M
  • EAN: 2050002661516

Optocoupleur 4N25M 1 pc(s)

  • Référence article: 1265457
  • Référence fabricant: 4N25M
  • EAN: 2050002661516

Optocoupleur 4N25M 1 pc(s)

Type 4N25M
Boîtier DIP-6
Fabricant ON Semiconductor
Abrév. fab. OnS
UF typ. 1.18 V
IF 60 mA
Tension de blocage U(R) 6 V
Canaux 1
Type d'entrée DC
Type de sortie Transistor avec base
Tension d'isolation 4170 V RMS
Température de fonctionnement (min.) +100 °C
Température de fonctionnement (max.) -40 °C
Type de montage trou traversant
Tension directe U(F) max. 1.5 V
Temps de montée 2 µs
Temps de descente 2 µs
Ligne de fuite 7 mm
P tot 270 mW
Tension de sortie (max.) 30 V
Vitesse de transfert du courant (min.) 20 %
Taux de transfert de courant (min) - Référence 10 mA
Rapport de transfert de courant (max.) 200 %
Saturation VCE (max.) 500 mV
IC 150 mA
Type de produit Optocoupleur - Phototransistor

Informations techniques

Type 4N25M
Boîtier DIP-6
Fabricant ON Semiconductor
Abrév. fab. OnS
UF typ. 1.18 V
IF 60 mA
Tension de blocage U(R) 6 V
Canaux 1
Type d'entrée DC
Type de sortie Transistor avec base

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