ON Semiconductor Optocoupleur - Phototransistor 4N29M DIP-4 Darlington avec base DC

  • Référence article: 1265469
  • Référence fabricant: 4N29M
  • EAN: 2050002661639

Optocoupleur 4N29M 1 pc(s)

  • Référence article: 1265469
  • Référence fabricant: 4N29M
  • EAN: 2050002661639

Optocoupleur 4N29M 1 pc(s)

Type 4N29M
Boîtier DIP-4
Fabricant ON Semiconductor
Abrév. fab. OnS
UF typ. 1.2 V
IF 10 mA
Tension de blocage U(R) 6 V
Canaux 1
Type d'entrée DC
Type de sortie Darlington avec base
Tension d'isolation 4170 V RMS
Température de fonctionnement (min.) +100 °C
Température de fonctionnement (max.) -40 °C
Type de montage trou traversant
Tension directe U(F) max. 1.5 V
Temps de montée 2 µs
Temps de descente 2 µs
Sortie électrique/canal 50 mA
Ligne de fuite 7 mm
P tot 270 mW
Tension de sortie (max.) 70 V
Vitesse de transfert du courant (min.) 100 %
Taux de transfert de courant (min) - Référence 500 µA
Rapport de transfert de courant (max.) 250 %
Saturation VCE (max.) 1 V
IC 150 mA
Type de produit Optocoupleur - Phototransistor

Informations techniques

Type 4N29M
Boîtier DIP-4
Fabricant ON Semiconductor
Abrév. fab. OnS
UF typ. 1.2 V
IF 10 mA
Tension de blocage U(R) 6 V
Canaux 1
Type d'entrée DC
Type de sortie Darlington avec base

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