ON Semiconductor Optocoupleur - Phototransistor H11G2M DIP-6 Darlington avec base DC

  • Référence article: 1265806
  • Référence fabricant: H11G2M
  • EAN: 2050002665002

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Fabricant ON Semiconductor
Canaux 1
Type d'entrée DC
Boîtier DIP-6
Type de sortie Darlington avec base
Abrév. fab. OnS
Type H11G2M
Type de montage trou traversant
Ligne de fuite 7 mm
Vitesse de transfert du courant (min.) 1000 %
Taux de transfert de courant (min) - Référence 10 mA
IF 60 mA
Tension directe U(F) max. 1.5 V
Tension d'isolation 4170 V RMS
Température de fonctionnement (max.) -40 °C
Température de fonctionnement (min.) +100 °C
Tension de blocage U(R) 6 V
Tension de sortie (max.) 80 V
Saturation VCE (max.) 1 V
UF typ. 1.3 V
Type de produit Optocoupleur - Phototransistor

Informations techniques

Fabricant ON Semiconductor
Canaux 1
Type d'entrée DC
Boîtier DIP-6
Type de sortie Darlington avec base
Abrév. fab. OnS
Type H11G2M
Type de montage trou traversant
Ligne de fuite 7 mm
Vitesse de transfert du courant (min.) 1000 %

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