ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discrêt KSC5402DTTU TO-220-3 1 NPN

  • Référence article: 1264511
  • Référence fabricant: KSC5402DTTU
  • EAN: 2050002652057

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

  • Paiement sécurisé
  • Satisfait ou remboursé
  • Garantie 2 ans
  • Droit de retour 14 jours
  • Les remises ne sont pas applicables aux articles à prix dégressifs ou déjà réduits
Référence KSC5402DTTU
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-220-3
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 2 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 450 V
Vce Saturation (max.) 750 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 100 µA
Puissance (max) P(TOT) 50 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 6
Ic 1 A
Vce 1 V
Fréquence - Transition 11 MHz
Type de montage trou traversant
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence KSC5402DTTU
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-220-3
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de transistor (Catégorisation) Transistor (BJT) - Discrêt
Canaux 1
Type de FET NPN
IC 2 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 450 V
Vce Saturation (max.) 750 mV

Documents et téléchargements

Produits similaires

Voir d'autres articles de cette catégorie Transistors bipolaires