ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discrêt MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington

  • Référence article: 151333
  • Référence fabricant: MJ11015G
  • EAN: 2050000013782

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Référence MJ11015G
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-3
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Canaux 1
Type de FET PNP - Darlington
IC -30 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -120 V
Vce Saturation (max.) -4 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) -1 mA
Puissance (max) P(TOT) 200 W
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 1000
Ic -20 A
Vce -5 V
Fréquence - Transition 4 MHz
Type de montage trou traversant
Conforme à la norme RoHS oui
Type de produit Transistor (BJT) - Discrêt

Informations techniques

Référence MJ11015G
Type de boîtier (semi-conducteur) TO-3
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Canaux 1
Type de FET PNP - Darlington
IC -30 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) -120 V
Vce Saturation (max.) -4 V
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) -1 mA

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