ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discrêt MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington

  • Référence article: 151333
  • Référence fabricant: MJ11015G
  • EAN: 2050000013782

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

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Type MJ11015G
Boîtier TO-3
Fabricant ON Semiconductor
Abrév. fab. OnS
Canaux 1
Type PNP - Darlington
IC -30 A
Tension - Collecteur-émetteur max. -120 V
Saturation VCE (max.) -4 V
Collecteur courant résiduel I(CES) -1 mA
P tot 200 W
Gain à courant DC (hFE) 1000
Gain en courant DC hFE - Courant de référence -20 A
Puissance courant DC hFE - tension de référence -5 V
Fréquence de transition f(T) 4 MHz
Type de montage trou traversant
Type de produit Transistor (BJT) - Discrêt

Informations techniques

Type MJ11015G
Boîtier TO-3
Fabricant ON Semiconductor
Abrév. fab. OnS
Canaux 1
Type PNP - Darlington
IC -30 A
Tension - Collecteur-émetteur max. -120 V
Saturation VCE (max.) -4 V
Collecteur courant résiduel I(CES) -1 mA

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