ROHM Semiconductor Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé IMH11AT110 SMT6 2 NPN - Prépolarisé

  • Référence article: 140571
  • Référence fabricant: IMH11AT110
  • EAN: 2050001282200

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Référence IMH11AT110
Type de boîtier (semi-conducteur) SMT6
Fabricant ROHM Semiconductor
Fab. ROH
Type de transistor (Catégorisation) Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé
Canaux 2
Type de FET NPN - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Vce Saturation (max.) 300 mV
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 500 nA
Puissance (max) P(TOT) 300 mW
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) 30
Ic 5 mA
Vce 5 V
Fréquence - Transition 250 MHz
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence IMH11AT110
Type de boîtier (semi-conducteur) SMT6
Fabricant ROHM Semiconductor
Fab. ROH
Type de transistor (Catégorisation) Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé
Canaux 2
Type de FET NPN - Prépolarisé
IC 100 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 50 V
Vce Saturation (max.) 300 mV

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