Transistor IGBT ON Semiconductor FSB50825US SPM-23-BD 3 phases Logique, Trigger de Schmitt 250 V 1 pc(s)

  • Référence article: 1264309
  • Référence fabricant: FSB50825US
  • EAN: 2050002650039

IGBT FSB50825US 1 pc(s)

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Référence FSB50825US
Type de boîtier (semi-conducteur) SPM-23-BD
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de transistor (Catégorisation) Transistor IGBT
Configuration 3 phases
Tension 250 V
IC 4 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 9 A
Puissance (max) P(TOT) 14 W
Type d'entrée Logique , Trigger de Schmitt
Td (on) à 25°C 1050 ns
Td (off) à 25°C 450 ns
Tension d'isolation 1500 V RMS
Série Motion-SPM
Type de FET FET Module d'attaque de puissance
Temps de recouvrement inverse T(rr) 140 ns
Type de montage montage en surface
Conforme à la norme RoHS oui

Informations techniques

Référence FSB50825US
Type de boîtier (semi-conducteur) SPM-23-BD
Fabricant ON Semiconductor
Fab. OnS
Type de transistor (Catégorisation) Transistor IGBT
Configuration 3 phases
Tension 250 V
IC 4 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 9 A
Puissance (max) P(TOT) 14 W

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