- Type de produit
- Transistor (BJT) - Discret533Transistor digital62Transistor MOSFET62Transistor HF (BJT)9Transistor bipolaire (BJT) - Matrice6Jeu de transistors3MOSFET1Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé1
- VendeurConrad Electronic SE
- Prix
- Marque
- Diotec296ON Semiconductor138Infineon Technologies67Nexperia58STMicroelectronics58DIODES Incorporated21MCC14TRU COMPONENTS12Taiwan Semiconductor7NXP Semiconductors2Whadda2Central Semiconductor corp.1Toshiba1
- Tension - Collecteur-émetteur max.
- -45 V31-80 V15-100 V11-30 V9-60 V9-65 V5-300 V4-40 V3-50 V2-120 V1-140 V1-20 V1-250 V1-400 V12.3 V12.5 V14.5 V25 V15.5 V112 V615 V116 V118 V120 V325 V1230 V6332 V1340 V2145 V12150 V6560 V2765 V4080 V4790 V1100 V19120 V1125 V1140 V2150 V6160 V4200 V1250 V6300 V11400 V12450 V4700 V2
- Puissance (max) P(TOT)
- 0.125 W10.15 W3160 mW1175 mW10.185 W10.2 W740.20 W8200 mW10.21 W10.225 W26225 mW10.25 W96250 mW230.3 W3300 mW20.31 W230.33 W17330 mW110.35 W4350 mW1360 mW30.36 W2400 mW1500 mW350.5 W320.58 W1580 mW10.625 W36625 mW25650 mW20.7 W1700 mW10.8 W2960 mW31 W101.1 W21.25 W161.3 W61.35 W21.5 W62 W262.25 W15 W112.5 W115 W120 W120.8 W225 W136 W740 W1250 W560 W565 W270 W375 W580 W790 W6125 W7150 W5160 W3200 W3250 W4
- Boîtier
- SOT-23228TO-9270SOT-32343TO-92-334SOT-22332TO-220AB26TO-92BK20SOT-36319SOT-23-316TO-22015SOT-32-312SOT-89-312TO-2478SOT-327TO-247-37SOT-896TO-36SOT-3435TO-1265DIP-164SOT-223-44TO-220-34TO-225AA4TO-236-33TO-204AA2TO-220-FULLPAK2TO-252AA2DFN1006-31DIP-181ITO-220AB1SC-82A1SOIC-81SOT-261SOT-343F1SOT-5231TO-126-31TO-181TO-226-31TO-2641TSSOP-61
- Courant du collecteur CI
- Type de montage
- Type
- Certifications
- Type d'emballage
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- Offres et autres
Transistors
677 RésultatsDétails | Prix | Disponibilité | Boîtier | Courant du collecteur CI | Tension - Collecteur-émetteur max. | Puissance (max) P(TOT) | Type de montage | Certifications | Type | Type d'emballage | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC550CG TO-92-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 814 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 3 | TO-92-3 | 100 mA | 45 V | 625 mW | trou traversant | - | NPN | - | |||
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Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC33725BU TO-92-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 73 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 15 | TO-92-3 | 800 mA | 45 V | 625 mW | trou traversant | - | NPN | - | |||
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP36C TO-247-3 1 PNPConrad Electronic Prix HT 56 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | TO-247-3 | -25 A | -100 V | 125 W | trou traversant | - | PNP | - | |||
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD139 TO-225AA 1 NPNConrad Electronic Prix HT 131 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 3 | TO-225AA | 1.5 A | 80 V | 1.25 W | trou traversant | - | NPN | - | |||
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Similaire à la photo -8% Prix HT 49 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | TO-3 | 20 A | 100 V | 160 W | trou traversant | - | NPN - Darlington | - | |||
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC32725BU TO-92 PNP BulkConrad Electronic Prix HT 43 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 10 | TO-92 | -0.8 A | -45 V | 0.625 W | trou traversant | - | PNP | Bulk | |||
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Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ802 TO-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 13 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | TO-3 | 30 A | 90 V | 200 W | trou traversant | - | NPN | - | |||
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Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N3904BU TO-92-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 789 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 20 | TO-92-3 | 200 mA | 40 V | 625 mW | trou traversant | RoHS | NPN | - | |||
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![]() Similaire à la photo Diotec Transistor (BJT) - Discret 2N3906 TO-92 PNPConrad Electronic Prix HT 3033 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 100 | TO-92 | 200 mA | 40 V | 0.625 W | montage à plat | RoHS | PNP | - | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ15003 TO-3 1 NPNConrad Electronic -8% Prix HT 48 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | TO-3 | 20 A | 140 V | 250 W | trou traversant | - | NPN | - | |||
![]() Similaire à la photo Diotec Transistor (BJT) - Discret MPSA56 TO-92 PNPConrad Electronic Prix HT 2605 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 100 | TO-92 | 500 mA | 80 V | 0.625 W | montage à plat | RoHS | PNP | - | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC547CBU TO-92-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 1906 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 15 | TO-92-3 | 100 mA | 45 V | 500 mW | trou traversant | - | NPN | - | |||
![]() TRU COMPONENTS VK-84524 Jeu de transistorsConrad Electronic Prix HT 197 sets en stock Livraison le mer. 30 sept. | - | - | - | - | - | RoHS | - | - | |||
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![]() Similaire à la photo Diotec Transistor (BJT) - Discret BC337-16 TO-92 NPNConrad Electronic Prix HT 711 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 750 | TO-92 | 800 mA | 45 V | 0.625 W | montage à plat | RoHS | NPN | - | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC337/25TA TO-92 1 NPNConrad Electronic Prix HT 6329 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 30 | TO-92 | 800 mA | 45 V | 625 mW | trou traversant | - | NPN | - | |||
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP3055 TO-247-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 127 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | TO-247-3 | 15 A | 60 V | 90 W | trou traversant | - | NPN | - | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD439G TO-126 NPN BulkConrad Electronic Prix HT 1800 pièces en stock Livraison avant le ven. 2 oct. Min: 50Lots: 50 | TO-126 | 4 A | 60 V | 36 W | trou traversant | - | NPN | Bulk | |||
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Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC547BBU TO-92-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 331 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 20 | TO-92-3 | 100 mA | 45 V | 500 mW | trou traversant | - | NPN | - | |||
![]() Similaire à la photo Prix HT 180 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | TO-247-3 | -10 A | -100 V | 125 W | trou traversant | - | PNP - Darlington | - | |||
Prix HT 3800 pièces en stock Livraison avant le ven. 2 oct. Min: 100Lots: 100 | SOT-23 | - | - | 0.225 W | montage en saillie | - | - | Bande sur bobine complète | |||
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Similaire à la photo Prix HT 3000 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 60 | - | - | - | - | - | - | - | Bande sur bobine complète | |||
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![]() Similaire à la photo Prix HT 657 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 3 | TO-220AB | 5 A | 80 V | 2 W | trou traversant | - | NPN - Darlington | - | |||
![]() Similaire à la photo STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret BUL38D TO-220AB 1 NPNConrad Electronic Prix HT 379 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 3 | TO-220AB | 5 A | 450 V | 80 W | trou traversant | - | NPN | - | |||
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![]() Similaire à la photo Diotec Transistor (BJT) - Discret BC559C TO-92 1 PNPConrad Electronic Prix HT 2881 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 70 | TO-92 | -100 mA | -30 V | 500 mW | trou traversant | RoHS | PNP | - | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC640TA TO-92 1 PNPConrad Electronic Prix HT 1859 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 10 | TO-92 | -1 A | -80 V | 1 W | trou traversant | - | PNP | - | |||
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret MJE350 SOT-32-3 1 PNPConrad Electronic Prix HT 121 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 5 | SOT-32-3 | -500 mA | -300 V | 20.8 W | trou traversant | - | PNP | - | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2SC5200OTU TO-264 1 NPNConrad Electronic Prix HT 15 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | TO-264 | 17 A | 250 V | 150 W | trou traversant | - | NPN | - | |||
Prix HT 90 pièces en stock Livraison avant le ven. 2 oct. Min: 10Lots: 10 | TO-247 | 15 A | 250 V | 150 W | trou traversant | - | PNP | Tube | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD13910STU TO-126 1 NPNConrad Electronic Prix HT 1661 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 7 | TO-126 | 1.5 A | 80 V | 1.25 W | trou traversant | - | NPN | - | |||
![]() Similaire à la photo MCC Transistor MOSFET BSS84-TP Bande sur bobine complèteConrad Electronic Prix HT 1400 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. | - | - | - | - | - | - | - | Bande sur bobine complète | |||
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD244CG TO-220 PNP TubeConrad Electronic Prix HT 103 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 10 | TO-220 | 6 A | 100 V | 65 W | trou traversant | - | PNP | Tube | |||
Similaire à la photo ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC547CTA TO-92-3 1 NPNConrad Electronic Prix HT 191 pièces en stock Livraison le mer. 30 sept. Min: 20 | TO-92-3 | 100 mA | 45 V | 500 mW | trou traversant | - | NPN | - | |||
Conseils
Si vous souhaitez contrôler ou commuter les tensions et les courants, nous disposons de transistors bipolaires en commutation nécessaire à la réalisation de vos projets. Étant un des composants actifs discrets les plus utilisés dans les conceptions et circuits électroniques, ils vous seront utiles pour tous types de signaux électriques. Les transistors ont révolutionné l’électronique en tant que composants de base des circuits intégrés, remplaçant les solutions plus énergivores et peu encombrantes. La majorité des produits de notre gamme de transistors bipolaires ont été choisis pour répondre à toutes les exigences les plus rigoureuses.
Transistors : Contrôle, amplification, génération de signaux électriques
Les transistors font sans aucun doute partie des composants électroniques les plus importants. Ils servent d'interrupteurs ainsi que d'amplificateurs, de contrôleurs et de générateurs de signaux électriques. Ils sont disponibles individuellement ou par milliards sur une puce de la taille d'un timbre-poste. Dans ce guide, vous apprendrez dans les grandes lignes comment ces composants actifs sont conçus, comment ils fonctionnent et quels types dominent le marché.
Un transistor se compose généralement de trois matériaux semi-conducteurs électriques distincts : l'émetteur, le collecteur et la base. Un signal électrique appliqué à la base influence sa capacité à conduire le courant électrique, qui circule entre l'émetteur et le collecteur dans la plupart des applications. Une source de tension entraîne le courant, tandis que le taux de passage du courant dans le composant à un moment donné est régulé par un signal d'entrée à la base - comparable à un robinet pour réguler le débit d'eau.
Le fonctionnement dépend fortement du comportement des électrons et des trous à l'interface entre une couche chargée positivement et une couche chargée négativement, appelée jonction pn. Cette transition a été découverte en 1940 par l'électrochimiste Russell Ohl des Bell Labs. Elle résulte de l'ajout d'impuretés dans les éléments semi-conducteurs que sont le germanium ou le silicium.
L'ajout de ces impuretés est appelé dopage et fonctionne ainsi :
Les atomes d'éléments du groupe 15 du tableau périodique, comme le phosphore ou l'arsenic, libèrent des électrons qui n'ont pas de place naturelle dans le réseau cristallin du semi-conducteur. Les électrons excédentaires sont donc liés de manière lâche et peuvent se déplacer relativement librement pour conduire le courant électrique en tant que porteurs de charge. En revanche, les atomes d'éléments du groupe 13 comme le bore ou l'aluminium provoquent un déficit d'électrons lorsqu'ils sont ajoutés en tant qu'impuretés. Au sens figuré, cela crée des trous dans la grille. Ces unités quantiques chargées positivement peuvent également se déplacer assez librement et conduire le courant.
Sous l'influence d'un champ électrique, les électrons et les trous se déplacent dans des directions opposées. Si aucune tension n'est appliquée à la jonction, les électrons et les trous s'accumulent sur les côtés opposés de l'interface et forment une couche de déplétion qui agit comme un isolant entre les deux côtés. Une tension négative appliquée à la couche n pousse ses électrons excédentaires vers l'interface, où ils se combinent avec les trous chargés positivement. Résultat : le courant circule. Si, au contraire, une des couches n est alimentée positivement, le champ électrique qui en résulte éloigne les électrons de l'interface. Dans ce cas, à part de minuscules courants de fuite, aucun courant ne circule. Le courant ne se déplace donc que dans une seule direction lors d'une jonction pn, ce qui signifie qu'une jonction pn agit comme un redresseur.
Les principaux types de transistors
Il existe deux groupes importants, à savoir les transistors bipolaires et les transistors à effet de champ unipolaires, en abrégé FET. Ils se distinguent non seulement par leur mode de commande, mais aussi par la désignation de leurs connexions. Les transistors bipolaires ont une base, un collecteur et un émetteur, tandis que les FET utilisent une grille, un drain et une source.
Types et formes de transistors
Les transistors sont disponibles dans de nombreux boîtiers semi-conducteurs différents. Les deux principales catégories sont les transistors à trous métallisés ou câblés et les transistors CMS pour le montage en surface. Les boîtiers sont en verre, en métal, en céramique ou en plastique. Les transistors de puissance ont généralement des boîtiers plus grands qui peuvent être fixés à des radiateurs pour un meilleur refroidissement. En outre, dans la plupart des transistors de puissance, le collecteur ou le drain est physiquement relié au boîtier métallique. En revanche, certains transistors CMS à micro-ondes sont aussi petits que des grains de sable.
Souvent, un certain type de transistor est disponible dans plusieurs boîtiers. Les boîtiers de transistors sont pour la plupart normalisés, mais la correspondance entre les fonctions d'un transistor et ses connexions ne l'est pas - même pour un même type de transistor, l'affectation des connexions peut varier.
Les réseaux de transistors sont une forme de construction particulière. Ils se composent de deux ou plusieurs transistors sur un substrat commun. Contrairement aux circuits intégrés supérieurs, ils peuvent être utilisés individuellement comme des composants discrets. Cela signifie qu'ils ne sont pas reliés entre eux pour réaliser une fonction spécifique.
Les réseaux peuvent être constitués de transistors bipolaires ou de transistors à effet de champ. Les principaux avantages sont le gain de place sur le circuit imprimé et la garantie d'une étroite coordination des paramètres entre les composants. La réduction de la surface du circuit imprimé est particulièrement importante pour les circuits numériques dans lesquels plusieurs transistors de commutation sont réunis dans un même boîtier.
FAQ – Questions fréquentes
A quoi faut-il faire attention lors de l'utilisation de tableaux ?
Une particularité est que le substrat est souvent présent sous forme de connexion séparée, désignée par substrat, masse ou terre. Il convient d'être prudent, surtout lors de la connexion du substrat, afin de maintenir l'isolation entre les composants du réseau, car une isolation de transition pn est généralement utilisée. Par exemple, dans un réseau de types NPN, le substrat doit être connecté à la tension la plus négative du circuit.
A quoi faut-il faire attention lors du soudage ?
La plupart des semi-conducteurs, y compris les transistors, sont conçus pour résister à une température allant jusqu'à 200 degrés Celsius pendant 10 secondes maximum. De nombreux experts utilisent toutefois des fers à souder dont les pointes sont nettement plus chaudes, mais qui terminent rapidement le processus de soudage. Pour les transistors câblés, une astuce s'est établie depuis longtemps pour éviter la surchauffe : Le maintien des fils de connexion pendant le processus de soudage à l'aide d'une pince plate. Celle-ci dissipe de manière fiable la chaleur de la panne à souder avant qu'elle n'atteigne le boîtier du transistor.
















































