Infineon Technologies IKD04N60RATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète - Conrad Electronic France | Conrad FR

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Infineon Technologies IKD04N60RATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète-0

Infineon Technologies IKD04N60RATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète-0

Type d'emballage

Bande sur bobine complète

Type de produit

Transistor IGBT

Boîtier

TO-252

Courant du collecteur CI

14.2 A

Type de montage

montage en saillie

Fiche technique (PDF)

Infineon Technologies

Livraison avant le jeu. 15 octobre

575 pièce(s)

Vente et expédition :

Conrad ElectronicCGV

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Points forts et détails

Transistor IGBT

Infineon Technologies
Contenu: 1 pc(s)

Nos services :

Caractéristiques techniques

(UGE(th)) tension de seuil de l'émetteur de porte : 5,0 V.
Courant de collecteur pulsé (ICpuls) : 12 A.

Type d'emballage: Bande sur bobine complète

Type: IKD04N60RATMA1

Type de produit: Transistor IGBT

Boîtier: TO-252

Fabricant: Infineon Technologies

Tension de blocage de l'émetteur du collecteur U(CES): 600 V

Courant du collecteur CI: 14.2 A

Temps de retard au démarrage t (d) (on): 14 ns

Temps de retard de mise à l'arrêt t(d) (off) (2): 116 ns

Type de montage: montage en saillie

UKCA: oui

Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 3027181 Infineon Technologies IKD04N60RATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 3027181 Infineon Technologies IKD04N60RATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète

Accessoires

(^*Les prix indiqués s'entendent HT)

L'accessoire nécessaire est impératif pour pouvoir utiliser le produit conformément à la description

Sachet antistatique (ESD) (L x l) 300 mm x 200 mm blindé Lettre d'identification ESD: S refermable (L x l) 300 mm x 200

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