Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 Transistor IGBT TO-247 650 V Tube - Conrad Electronic France | Conrad FR

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Photo non contractuelle

Type d'emballage

Tube

Type de produit

Transistor IGBT

Boîtier

TO-247

Courant du collecteur CI

62 A

Type de montage

trou traversant

Fiche technique (PDF)

Infineon Technologies

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Conrad ElectronicCGV

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Points forts et détails

Transistor IGBT

Infineon Technologies
Contenu: 1 pc(s)

Nos services :

Caractéristiques techniques

(UGE(th)) tension de seuil de l'émetteur de porte : 4,0 V.
Courant collecteur pulsé (ICpuls) : 120 A.

Type d'emballage: Tube

Type: IKW30N65ES5XKSA1

Type de produit: Transistor IGBT

Boîtier: TO-247

Fabricant: Infineon Technologies

Tension de blocage de l'émetteur du collecteur U(CES): 650 V

Courant du collecteur CI: 62 A

Temps de retard au démarrage t (d) (on): 16 ns

Temps de retard de mise à l'arrêt t(d) (off) (2): 133 ns

Type de montage: trou traversant

UKCA: oui

Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 3027192 Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 Transistor IGBT TO-247 650 V Tube

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 3027192 Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 Transistor IGBT TO-247 650 V Tube

Accessoires

(^*Les prix indiqués s'entendent HT)

L'accessoire nécessaire est impératif pour pouvoir utiliser le produit conformément à la description

Sachet antistatique (ESD) (L x l) 300 mm x 200 mm blindé Lettre d'identification ESD: S refermable (L x l) 300 mm x 200

Sachet antistatique (ESD) (L x l) 300 mm x 200 mm blindé Lettre d'identification ESD: S refermable (L x l) 300 mm x 200

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